Subthreshold swing model using scale length for sub-10 nm junction-based double-gate MOSFETs (IJECE Vol. 10, No. 2, April 2020)

Pencarian berdasarkan :

SEMUA Pengarang Subjek ISBN/ISSN Pencarian Spesifik

Pencarian terakhir:

Text

Subthreshold swing model using scale length for sub-10 nm junction-based double-gate MOSFETs (IJECE Vol. 10, No. 2, April 2020)

Hakkee Jung - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Belum memasukkan lokasi Belum memasukkan lokasi

Ijece140/23

Tersedia

Informasi Detail

Judul Seri: -
No. Panggil: -
Penerbit: Kunsan : IJECE., 2020
Deskripsi Fisik: -
Bahasa: English
ISBN/ISSN: 2088-8708
Klasifikasi: NONE
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: -
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: -

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Subthreshold swing model using scale length for sub-10 nm

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar